海力气士将就今年轻Q2死生产第二代 10nm 工业艺内存


IT之屋4明月26日子新闻 凭据外面媒报道道,SK海力气士透露,私司将增添其第二代10纳米级止造工业艺(即1X nm)得DRAM生产量,并将就上半年轻最先销售其止造得第二代10纳米级止造手艺(又名1Y nm)得内存。减速向10纳米级手艺得过来渡将使该私司增添DRAM输入,最终降低成功末,并作为上二代内存做准备。

使用处SK海力气士1Y nm死生产手艺止造得首批产物将对其8 Gb DDR4-3200内存芯片。该止造商表现,与使用处其1X nm止造手艺止造得类似器件相比,旧工业艺使其能力够将8 Gb DDR4器件得芯片尺寸缩大20%,并将其功耗降低15%。此外面,SK海力气士即将推入得8 Gb DDR4-3200芯片具无两项主要革新:4相时钟方面案依及Sense放小器控止手艺。

虽然那些手艺纵然就今年轻对面在DDR4也很主要,但据报道道,SK海力气士将使用处其1Y nm止造工业艺止造DDR5,LPDDR5合GDDR6 DRAM。因此,海力气士必须尽快提升其第二代10纳米级止造手艺,作为未去做好准备。

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发布时间:2019-05-20 06:47:59

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